Entwicklung SiC-Gapschalter
GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH · Darmstadt · Hessen
Beschreibung
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten
KI-Eignungsanalyse
KI-generiertBranche: IT & Digitalisierung
Gesucht wird die Entwicklung und Fertigung von zwei schnellen Halbleiter-Gapschaltern auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC).
Hinweis: Diese Kurzanalyse wurde automatisiert von einem KI-Modell erstellt und ist ausschließlich ein Hilfsmittel zur schnellen Orientierung. Sie ersetzt keine Prüfung der Original-Vergabeunterlagen und ist keine Eignungs- oder Rechtsberatung. Die verbindlichen Angaben entnehmen Sie bitte der Bekanntmachung auf oeffentlichevergabe.de.
Weitere Pflichtangaben aus der Bekanntmachung
- Menschenrechte
Mindestens 3 Bewerber · sukzessive Reduktion möglich
Keine Angabe
Preiseinschätzung
Basierend auf 23 vergleichbaren Vergabeergebnissen:
Statistische Auswertung öffentlicher Zuschlagswerte. Keine Preisempfehlung.
Verfahrensverlauf
Vollständige Historie dieses Vergabeverfahrens — alle Phasen und Veröffentlichungen.
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2 Veröffentlichungen
- 24.07.2025 Keine Änderung erfolgt aktuell
- 24.07.2025 Original-Veröffentlichung
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