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Referenzen für Stand-alone Aligner lt. angef. Alignmentverfahren mind. 3 Anlagen in den letzten 3 Jahren.
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IT & Digitalisierung
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EU-Oberschwelle
Beschaffung einer Wafer Bonding Anlage
Halbleiterlabor der MPG · Garching · Bayern · Nachgeordnete Behörde
- Status
- Ausgelaufen
- Auftragswert
- nicht veröffentlicht
- Verfahren
- Verhandlungsverfahren mit Teilnahmewettbewerb
- Veröffentlicht
- 11.04.2024
Beschreibung
Diese Beschaffung betrifft die
•Mechanische, thermische und elektrische Verbindung von extern produzierten Anwender-spezifischen integrierten Schaltkreisen (ASICs) mit den hoch-spezialisierten intern entwickelten und gefertigten Strahlungssensoren
•Heterogene Integration von photonischen und elektrischen Baugruppen
•Verbindung von vorproduzierten thermo-mechanischen Baugruppen mit aktiven Sensoren und ASICs, um ein effizientes material- und platzsparendes thermisches Management bei Detektorsystem zu erreichen.
Die dazu notwendige Technologie ist das sogenannte „Wafer bonding“: die Verbindung von zwei Wafern mit polierten Oberflächen entweder direkt oder über andere funktionale Lagen wie SiO2, Metallen oder Polymeren. Die dabei verwendeten Wafer sind entweder
•unprozessiert
•haben geätzte oder andersartig strukturierte Oberflächen
•vorprozessiert mit mehreren Metalllagen
•rekonstituierte Substrate mit einzelnen chips, die vorher mittels geeigneter Methoden aufgebracht wurden.
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Allgemeine Spezifikation der Wafer, bzw. Substrate:
•Durchmesser 150mm und 200 mm, Dicke ca. 100 µm bis 1000 µm
Der Prozess des Wafer-Bondens soll manuell ablaufen. Die Waferpaare werden manuell in die verschiedenen Teilprozesse geladen.
Die wichtigsten drei Prozesse mit den Spezifikationen werden weiter unten aufgelistet.
1.Cavity SOI
Bei dieser Anwendung werden zwei Wafer direkt gebondet. Das Ziel ist eine Struktur mit integrierten Mikro-Kühlkanälen
Wafer a:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 100 µm - 1000 µm, CMOS mit Multi-metal oder active pixel sensor, Bondseite Si poliert
Wafer b:
Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 500 µm - 1000 µm, Thermisches Oxid beidseitig, Bondseite vorprozessiert mit etwa 300 µm tiefen und 300 µm weiten Kanälen, aktive Bondfläche etwa 75% des Wafers
Bond: Bonden in Vakuum bei etwa 100 mbar, Justage über Waferrand, Genauigkeit von +/-100 µm, abhängig von Wafertoleranzen, Bond bei RT, Annealing nach Bond bei T<300 °C, batch annealing Dauer max. 2h, Obe
Vollständige Beschreibung (5.489 Zeichen)
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KI-Kurzfassung der Anforderungen
KI-generiertBranche: IT & Digitalisierung
Beschaffung einer Wafer Bonding Anlage für die mechanische, thermische und elektrische Verbindung von integrierten Schaltkreisen mit Strahlungssensoren und photonischen/elektrischen Baugruppen.
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Nachforderung fehlender Unterlagen möglich
Der Auftraggeber darf fehlende, unvollständige oder fehlerhafte Unterlagen nachfordern (§ 56 VgV).
- Elektronische Rechnung (eRechnung) verpflichtend
Quelle: Bekanntmachung (eForms). Maßgeblich sind die vollständigen Vergabeunterlagen.
Wörtliche Zitate aus der Leistungsbeschreibung
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