5Tage
bis 20.11.
Low-pressure CVD-Anlage - PR1268522-3380-W
KI Gesucht wird eine Niederdruck-CVD-Anlage.
Ausschreibung
Verhandlungsverfahren mit Teilnahmewettbewerb
Elektrische Ausrüstung
Vergeben
IT & Digitalisierung
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Lieferauftrag
EU-Oberschwelle
09-2024_VV_EU_Wafer Bonding System
Halbleiterlabor der Max-Planck-Gesellschaft
- Status
- Vergeben
- Zuschlagswert
- 2.329.401 €
- Verfahren
- Verhandlungsverfahren mit Teilnahmewettbewerb
- Veröffentlicht
- 15.11.2024
Vergabe-Ergebnis
EV Group E.Thallner
Auftragnehmer
Zuschlagswert
2.329.401 €
Eingegangene Angebote
1
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Das Wichtigste auf einen Blick
KI-generiert- Beschaffung eines Wafer Bonding Systems und eines Plasmaaktivierungssystems für die Verbindung von integrierten Schaltkreisen und Strahlungssensoren.
- Spezifikationen umfassen verschiedene Wafergrößen (150mm, 200mm) und Bondverfahren (direkt, Polymer, hybrid) mit präzisen Anforderungen an Genauigkeit, Vakuum und Temperatur.
- Systemanforderungen beinhalten SEMI S2/S8 Zertifizierung, schnelle Wechselzeiten zwischen Wafergrößen und Prozessen sowie spezifische Vakuum- und Heizungsfunktionen.
- Mindestens 3 Referenzen für Stand-alone Aligner im Bereich Alignmentverfahren aus den letzten 3 Jahren sind nachzuweisen.
- Der geschätzte Wert der Ausschreibung beträgt 2.329.401 EUR.
KI-generierte Zusammenfassung der Bekanntmachung (KI-Transparenz) — maßgeblich ist die Original-Bekanntmachung.
Beschreibung
Diese Beschaffung betrifft die •Mechanische, thermische und elektrische Verbindung von extern produzierten Anwender-spezifischen integrierten Schaltkreisen (ASICs) mit den hoch-spezialisierten intern entwickelten und gefertigten Strahlungssensoren •Heterogene Integration von photonischen und elektrischen Baugruppen •Verbindung von vorproduzierten thermo-mechanischen Baugruppen mit aktiven Sensoren und ASICs, um ein effizientes material- und platzsparendes thermisches Management bei Detektorsystem zu erreichen. Die dazu notwendige Technologie ist das sogenannte „Wafer bonding“: die Verbindung von zwei Wafern mit polierten Oberflächen entweder direkt oder über andere funktionale Lagen wie SiO2, Metallen oder Polymeren. Die dabei verwendeten Wafer sind entweder •unprozessiert •haben geätzte oder andersartig strukturierte Oberflächen •vorprozessiert mit mehreren Metalllagen •rekonstituierte Substrate mit einzelnen chips, die vorher mittels geeigneter Methoden aufgebracht wurden. Allgemeine Spezifikation der Wafer, bzw. Substrate: •Durchmesser 150mm und 200 mm, Dicke ca. 100 µm bis 1000 µm Der Prozess des Wafer-Bondens soll manuell ablaufen. Die Waferpaare werden manuell in die verschiedenen Teilprozesse geladen. Die wichtigsten drei Prozesse mit den Spezifikationen werden weiter unten aufgelistet. 1.Cavity SOI Bei dieser Anwendung werden zwei Wafer direkt gebondet. Das Ziel ist eine Struktur mit integrierten Mikro-Kühlkanälen Wafer a: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 100 µm - 1000 µm, CMOS mit Multi-metal oder active pixel sensor, Bondseite Si poliert Wafer b: Durchmesser 150 mm oder 200 mm, Dicke 500 µm - 1000 µm, Thermisches Oxid beidseitig, Bondseite vorprozessiert mit etwa 300 µm tiefen und 300 µm weiten Kanälen, aktive Bondfläche etwa 75% des Wafers Bond: Bonden in Vakuum bei etwa 100 mbar, Justage über Waferrand, Genauigkeit von +/-100 µm, abhängig von Wafertoleranzen, Bond bei RT, Annealing nach Bond bei T<300 °C, batch annealing Dauer max. 2h, Oberflächenen
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Auftragnehmer EV Group E.ThallnerZuschlagswert 2.329.401 €1 Veröffentlichung
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