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Beschaffung einer chemisch-mechanischen Polieranlage
Vergabe-Ergebnis
Hinweis: Nicht alle Kerndaten wurden publiziert — die Vergabestelle hat diese Bekanntmachung ohne Auftragnehmer und ohne Vertragswert veröffentlicht.
Das Wichtigste auf einen Blick
KI-generiert- Beschaffung einer vollautomatischen chemisch-mechanischen Polieranlage (CMP) für Wafer.
- Anlage muss für 6- und 8-Zoll-Wafer geeignet sein und über ein rückseitenschonendes Handlingssystem verfügen.
- Maximale Grundfläche der Anlage beträgt 2,5 x 2,5 m².
- Erforderlich sind eine Secs/Gem-Schnittstelle und ein Barcodescanner.
KI-generierte Zusammenfassung der Bekanntmachung (KI-Transparenz) — maßgeblich ist die Original-Bekanntmachung.
Beschreibung
Der Auftragnehmer hat eine chemisch-mechanischen-Polieranlage (CMP) für Wafer gemäß den nachfolgend beschriebenen Spezifikationen zu erstellen: Die Anlage soll geeignet sein, um Wafer mit verschiedenen topographischen Schichten, wie z.B. Silizium, Siliziumoxid, Wolfram, etc. zu planarisieren und zu polieren. Es muss sich um eine vollautomatische Anlage mit vollständiger Integration aller notwendigen Komponenten, wie Polier-, Reinigungs- & Trockeneinheit handeln, sogenanntes Dry in/Dry out. Aufgrund der Verwendung von doppelseitig prozessierten Wafern muss der Transport innerhalb der Anlage mit einem rückseitenschonendem Handlingssystem von Ein- zu Ausgabekassette erfolgen. Die einzelnen Prozessmodule müssen ebenfalls möglichst rückseitenschonend ausgeführt sein. Die Anlage muss zur Bearbeitung sowohl von 6- als auch 8-Zoll Wafern geeignet sein. Ein dazu eventueller Umbau muss vom Benutzer möglichst einfach durchführbar sein und darf nicht länger als 3 Arbeitstage in Anspruch nehmen. Die Anlage muss möglichst kompakt sein und darf wegen des vorhandenen Reinraumplatzes ein Flächenmaß von 2,5 x 2,5 m² nicht überschreiten. Eine Secs/Gem Schnittstelle muss vorhanden sein. Außerdem muss ein Barcodescanner mitgeliefert werden.
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- 07.02.2024 Original-Veröffentlichung · in TED EU + oev aktuell
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